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Global Power Technologies Group GP1M009A090N

Name: GP1M009A090N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M009A090N
Availability: InStock
Rating: 4.8 (10 reviews)

Numero parte MFG: GP1M009A090N

quantità disponibile: 40040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Global Power Technologies Group

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: GP1M009A090N.pdf

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GP1M009A090N specificazioni

codice articolo del costruttore	GP1M009A090N
Numero di parte futuro	FT-GP1M009A090N
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GP1M009A090N Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2324pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	312W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PN
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M009A090N Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	GP1M009A090N-FT

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