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Global Power Technologies Group GP2M011A090NG

Name: GP2M011A090NG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M011A090NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (704 reviews)

Numero parte MFG: GP2M011A090NG

quantità disponibile: 72600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Global Power Technologies Group

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: GP2M011A090NG.pdf

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GP2M011A090NG specificazioni

codice articolo del costruttore	GP2M011A090NG
Numero di parte futuro	FT-GP2M011A090NG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GP2M011A090NG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3240pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	416W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PN
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M011A090NG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	GP2M011A090NG-FT

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