casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP1M020A050N
codice articolo del costruttore | GP1M020A050N |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GP1M020A050N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M020A050N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3094pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 312W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M020A050N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1M020A050N-FT |
IRFU1018EPBF
Infineon Technologies
IRFU1205
Infineon Technologies
IRFU120Z
Infineon Technologies
IRFU120ZPBF
Infineon Technologies
IRFU12N25D
Infineon Technologies
IRFU12N25DPBF
Infineon Technologies
IRFU13N15D
Infineon Technologies
IRFU15N20DPBF
Infineon Technologies
IRFU18N15D
Infineon Technologies
IRFU220N
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel