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Global Power Technologies Group GP2M012A080NG

Name: GP2M012A080NG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M012A080NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (547 reviews)

Numero parte MFG: GP2M012A080NG

quantità disponibile: 44210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Global Power Technologies Group

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: GP2M012A080NG.pdf

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GP2M012A080NG specificazioni

codice articolo del costruttore	GP2M012A080NG
Numero di parte futuro	FT-GP2M012A080NG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GP2M012A080NG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3370pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	416W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PN
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M012A080NG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	GP2M012A080NG-FT

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