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ON Semiconductor FCH190N65F-F085

Name: FCH190N65F-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH190N65F-F085
Price: 3.866328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (518 reviews)

Numero parte MFG: FCH190N65F-F085

quantità disponibile: 28560 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.866328

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCH190N65F-F085.pdf

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FCH190N65F-F085 specificazioni

codice articolo del costruttore	FCH190N65F-F085
Numero di parte futuro	FT-FCH190N65F-F085
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FCH190N65F-F085 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH190N65F-F085 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCH190N65F-F085-FT

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