casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP2M008A060PGH
codice articolo del costruttore | GP2M008A060PGH |
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Numero di parte futuro | FT-GP2M008A060PGH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M008A060PGH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M008A060PGH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2M008A060PGH-FT |
AUIRFU540Z
Infineon Technologies
AUIRLU024Z
Infineon Technologies
IRFU1010Z
Infineon Technologies
IRFU1010ZPBF
Infineon Technologies
IRFU1018EPBF
Infineon Technologies
IRFU1205
Infineon Technologies
IRFU120Z
Infineon Technologies
IRFU120ZPBF
Infineon Technologies
IRFU12N25D
Infineon Technologies
IRFU12N25DPBF
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel