casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESH2C-E3/5BT
codice articolo del costruttore | ESH2C-E3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-ESH2C-E3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2C-E3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2C-E3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESH2C-E3/5BT-FT |
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel