casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS2H10-M3/52T
codice articolo del costruttore | SS2H10-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-SS2H10-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS2H10-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H10-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS2H10-M3/52T-FT |
RS2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation