casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS26-M3/5BT
codice articolo del costruttore | SS26-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-SS26-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS26-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS26-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS26-M3/5BT-FT |
B360B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS2G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS2J-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel