casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS2H10HE3_A/I
codice articolo del costruttore | SS2H10HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS2H10HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS2H10HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H10HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS2H10HE3_A/I-FT |
RS2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation