casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS29-M3/52T
codice articolo del costruttore | SS29-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-SS29-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS29-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS29-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS29-M3/52T-FT |
CS2J-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation