casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1FHR3G
codice articolo del costruttore | ES1FHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1FHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1FHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1FHR3G-FT |
ESH1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel