casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1D M2G
codice articolo del costruttore | ES1D M2G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1D M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1D M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1D M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1D M2G-FT |
HS1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel