casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1J M2G
codice articolo del costruttore | ES1J M2G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1J M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1J M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1J M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1J M2G-FT |
TSSA3U60 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel