casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG23M M2G
codice articolo del costruttore | BYG23M M2G |
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Numero di parte futuro | FT-BYG23M M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG23M M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG23M M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG23M M2G-FT |
S2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel