casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1G M2G
codice articolo del costruttore | ES1G M2G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1G M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1G M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1G M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1G M2G-FT |
RS2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2AAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation