casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EPC2105ENGRT
codice articolo del costruttore | EPC2105ENGRT |
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Numero di parte futuro | FT-EPC2105ENGRT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC2105ENGRT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V |
Potenza - Max | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2105ENGRT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC2105ENGRT-FT |
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
BSC750N10NDGATMA1
Infineon Technologies
BTS7904BATMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Infineon Technologies
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
FTCO3V455A1
ON Semiconductor
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
Intel
EP4SGX110DF29I3
Intel
EP3CLS200F780C7N
Intel
EP20K400CB652I8ES
Intel