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codice articolo del costruttore | ELL-6UH102M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-6UH102M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H |
ELL-6UH102M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 180mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.67 Ohm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6UH102M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-6UH102M-FT |
ELL-CTV470M
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel