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codice articolo del costruttore | ELL-CTV271M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-CTV271M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV271M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 270µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 810mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 400 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.177" (4.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV271M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-CTV271M-FT |
ELL-6GM220M
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ELL-6GM270M
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ELL-6GM2R2N
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XC6SLX100T-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27I7N
Intel
EPF10K30EFC484-2X
Intel
EP4SE360H29C2
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
XC7K355T-3FFG901E
Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
Intel