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codice articolo del costruttore | ELL-CTV470M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-CTV470M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV470M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 69 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.177" (4.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV470M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-CTV470M-FT |
ELL-6GM100M
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ELL-6GM2R2N
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ELL-6GM2R7N
Panasonic Electronic Components
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel