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codice articolo del costruttore | ELL-CTV330M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-CTV330M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV330M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 33µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 50 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.177" (4.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV330M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-CTV330M-FT |
ELL-6GM1R2N
Panasonic Electronic Components
ELL-6GM1R8N
Panasonic Electronic Components
ELL-6GM220M
Panasonic Electronic Components
ELL-6GM270M
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ELL-6GM2R2N
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ELL-6GM2R7N
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ELL-6GM330M
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ELL-6GM390M
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ELL-6GM3R6N
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ELL-6GM470M
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel