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codice articolo del costruttore | ELL-CTV221M |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-CTV221M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV221M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 220µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 840mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 310 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.177" (4.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV221M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-CTV221M-FT |
ELL-6GM2R2N
Panasonic Electronic Components
ELL-6GM2R7N
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ELL-6GM330M
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EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel