casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP50C-E3/54
codice articolo del costruttore | EGP50C-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-EGP50C-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP50C-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP50C-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP50C-E3/54-FT |
BYM10-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-400HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-400HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-50HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-600HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-600HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-800HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel