casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM10-200HE3/97
codice articolo del costruttore | BYM10-200HE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM10-200HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM10-200HE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-200HE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM10-200HE3/97-FT |
BYM11-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBAT49FILM
STMicroelectronics
TMBYV10-60FILM
STMicroelectronics
GL41A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel