casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM10-50HE3/96
codice articolo del costruttore | BYM10-50HE3/96 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM10-50HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM10-50HE3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-50HE3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM10-50HE3/96-FT |
EGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBAT49FILM
STMicroelectronics
TMBYV10-60FILM
STMicroelectronics
GL41A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel