casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM10-800HE3/97
codice articolo del costruttore | BYM10-800HE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM10-800HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM10-800HE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-800HE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM10-800HE3/97-FT |
BYM11-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-400HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-400HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
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