casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM10-50-E3/97
codice articolo del costruttore | BYM10-50-E3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM10-50-E3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM10-50-E3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-50-E3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM10-50-E3/97-FT |
EGL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBAT49FILM
STMicroelectronics
TMBYV10-60FILM
STMicroelectronics
GL41A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel