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Diodes Incorporated DMTH10H025LK3Q-13

Name: DMTH10H025LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH10H025LK3Q-13
Price: 0.407296 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (669 reviews)

Numero parte MFG: DMTH10H025LK3Q-13

quantità disponibile: 18300 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.407296

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMTH10H025LK3Q-13.pdf

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DMTH10H025LK3Q-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMTH10H025LK3Q-13
Numero di parte futuro	FT-DMTH10H025LK3Q-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMTH10H025LK3Q-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	51.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1477pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH10H025LK3Q-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMTH10H025LK3Q-13-FT

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