casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4C05NAT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS4C05NAT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4C05NAT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C05NAT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.7A (Ta), 78A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1972pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.57W (Ta), 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C05NAT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4C05NAT1G-FT |
IPL60R140CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037CSFDXKSA1
Infineon Technologies
IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IXFK90N60X
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel