casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4C032NT3G
codice articolo del costruttore | NTMFS4C032NT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4C032NT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C032NT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.35 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.46W (Ta), 21.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C032NT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4C032NT3G-FT |
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R140CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037CSFDXKSA1
Infineon Technologies
IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation