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ON Semiconductor NTMFS4C06NBT1G

Name: NTMFS4C06NBT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4C06NBT1G
Price: 0.258088 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (402 reviews)

Numero parte MFG: NTMFS4C06NBT1G

quantità disponibile: 29230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.258088

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTMFS4C06NBT1G.pdf

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NTMFS4C06NBT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTMFS4C06NBT1G
Numero di parte futuro	FT-NTMFS4C06NBT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTMFS4C06NBT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta), 69A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1683pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C06NBT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTMFS4C06NBT1G-FT

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