casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4C09NBT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS4C09NBT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4C09NBT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C09NBT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1252pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 760mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C09NBT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4C09NBT1G-FT |
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R037CSFDXKSA1
Infineon Technologies
IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IXFK90N60X
IXYS
IXFL100N50P
IXYS
IXFL40N110P
IXYS
IXFL60N80P
IXYS
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel