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ON Semiconductor NTMFS4C09NBT1G

Numero parte MFG
NTMFS4C09NBT1G
quantità disponibile
97310 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.215128
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NTMFS4C09NBT1G
Numero di parte futuro FT-NTMFS4C09NBT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTMFS4C09NBT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1252pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 760mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore -
Pacchetto / caso -
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C09NBT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTMFS4C09NBT1G-FT

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