casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMTH10H005SCT
codice articolo del costruttore | DMTH10H005SCT |
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Numero di parte futuro | FT-DMTH10H005SCT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMTH10H005SCT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8474pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 187W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH10H005SCT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMTH10H005SCT-FT |
NTMFS4C028NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C028NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C029NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C032NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C054NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C05NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C08NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel