casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP3018SFV-7
codice articolo del costruttore | DMP3018SFV-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP3018SFV-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP3018SFV-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2147pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP3018SFV-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP3018SFV-7-FT |
DMNH6042SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH10H030LK3-13
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SI3
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated
TSM60NB099PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation