casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMJ70H1D3SH3
codice articolo del costruttore | DMJ70H1D3SH3 |
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Numero di parte futuro | FT-DMJ70H1D3SH3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMJ70H1D3SH3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 351pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMJ70H1D3SH3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMJ70H1D3SH3-FT |
DMP6110SSS-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSS-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMS3014SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3015SSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel