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Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3

Name: DMJ70H1D3SI3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMJ70H1D3SI3
Price: 0.76096 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (652 reviews)

Numero parte MFG: DMJ70H1D3SI3

quantità disponibile: 83800 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.76096

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMJ70H1D3SI3.pdf

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DMJ70H1D3SI3 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMJ70H1D3SI3
Numero di parte futuro	FT-DMJ70H1D3SI3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMJ70H1D3SI3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.9nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	351pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H1D3SI3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMJ70H1D3SI3-FT

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