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codice articolo del costruttore | DMTH10H030LK3-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMTH10H030LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH10H030LK3-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-4L |
Pacchetto / caso | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH10H030LK3-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMTH10H030LK3-13-FT |
DMP6023LSS-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSDQ-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSS-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSS-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMS3014SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3015SSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel