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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G

Name: TSM60NB099PW C1G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB099PW C1G
Price: 5.616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (361 reviews)

Numero parte MFG: TSM60NB099PW C1G

quantità disponibile: 31630 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 5.616

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM60NB099PW C1G.pdf

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TSM60NB099PW C1G specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM60NB099PW C1G
Numero di parte futuro	FT-TSM60NB099PW C1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM60NB099PW C1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2587pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	329W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB099PW C1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM60NB099PW C1G-FT

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