casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN3025LFV-13
codice articolo del costruttore | DMN3025LFV-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3025LFV-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN3025LFV-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3025LFV-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3025LFV-13-FT |
DMNH6012LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH10H030LK3-13
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SI3
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated
TSM60NB099PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation