casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012F-R47M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012F-R47M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012F-R47M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012F |
DFE252012F-R47M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.9A |
Corrente - Saturazione | 7.4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 23 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012F-R47M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012F-R47M=P2-FT |
DFE252012P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252012P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-R47M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R47M=P2
Murata Electronics North America
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel