casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610P-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610P-1R0M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610P-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610P-1R0M=P2-FT |
LQG15WZ1N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
Murata Electronics North America
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation