casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610P-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610P-1R5M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610P-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610P-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ1N5S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4C02D
Murata Electronics North America
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC484-1
Intel
5SGXEA7K2F40I2LN
Intel
XC6SLX16-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
5SGXEA3H3F35C3N
Intel