casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610P-2R2M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610P-2R2M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610P-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-2R2M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 168 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-2R2M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610P-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4S02D
Murata Electronics North America
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel