casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE201610P-2R2M=P2
codice articolo del costruttore | DFE201610P-2R2M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE201610P-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610P |
DFE201610P-2R2M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 168 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610P-2R2M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE201610P-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ2N4S02D
Murata Electronics North America
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU095-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
XC4010E-4HQ208C
Xilinx Inc.