casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / 1269AS-H-R47M=P2
codice articolo del costruttore | 1269AS-H-R47M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-1269AS-H-R47M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010C |
1269AS-H-R47M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 470nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 46 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1269AS-H-R47M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1269AS-H-R47M=P2-FT |
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8S02D
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LQG15WZ2N0C02D
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LQG15WZ2N0S02D
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LQG15WZ2N2C02D
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LQG15WZ2N2S02D
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LQG15WZ2N4C02D
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LQG15WZ2N4S02D
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LQG15WZ2N7C02D
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LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel