casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / APTM100TDU35PG
codice articolo del costruttore | APTM100TDU35PG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM100TDU35PG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM100TDU35PG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Potenza - Max | 390W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100TDU35PG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM100TDU35PG-FT |
MP6K11TCR
Rohm Semiconductor
MP6K12TCR
Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
MP6M11TCR
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Xilinx Inc.
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ICE40LM2K-SWG25TR
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EP2C50F484C8
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Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation