casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / APTM10TDUM09PG
codice articolo del costruttore | APTM10TDUM09PG |
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Numero di parte futuro | FT-APTM10TDUM09PG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10TDUM09PG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 139A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Potenza - Max | 390W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10TDUM09PG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM10TDUM09PG-FT |
MP6K12TCR
Rohm Semiconductor
MP6K13TCR
Rohm Semiconductor
MP6K14TCR
Rohm Semiconductor
MP6K31TCR
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MP6M12TCR
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
ICE40LM2K-SWG25TR
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EP2C50F484C8
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5SGXEA5N2F45I3N
Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation