casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTA115TCA-7-F
codice articolo del costruttore | DDTA115TCA-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTA115TCA-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTA115TCA-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA115TCA-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTA115TCA-7-F-FT |
BCR 108L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 112L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 114L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 116L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 119L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 129L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 133L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 135L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 141L3 E6327
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel