casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 141L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 141L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 141L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 141L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 141L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 141L3 E6327-FT |
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
PDTC144TE,115
NXP USA Inc.
PDTC144VE,115
NXP USA Inc.
PDTC144WE,115
NXP USA Inc.
PDTA113EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YMB,315
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-4000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-1FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27I7N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation