casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 116L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 116L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 116L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 116L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 116L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 116L3 E6327-FT |
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
PDTC144TE,115
NXP USA Inc.
PDTC144VE,115
NXP USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
EP3C5U256I7
Intel
5SGSMD5K3F40C2
Intel
EP3C16E144I7
Intel
XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C5
Intel