casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 116L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 116L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 116L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 116L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 116L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 116L3 E6327-FT |
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
PDTC144TE,115
NXP USA Inc.
PDTC144VE,115
NXP USA Inc.
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40I3N
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EP2SGX60EF1152I4N
Intel
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H1F35C2N
Intel