casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR 114L3 E6327
codice articolo del costruttore | BCR 114L3 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR 114L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 114L3 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 160MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-3-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 114L3 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 114L3 E6327-FT |
PDTC124EE,115
NXP USA Inc.
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
PDTC144TE,115
NXP USA Inc.
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-1X
Intel
5SGXMA3H2F35C3N
Intel